NVD5802NT4G-TB01
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Teilenummer | NVD5802NT4G-TB01 |
PNEDA Teilenummer | NVD5802NT4G-TB01 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 101A DPAK |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.948 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVD5802NT4G-TB01 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module |
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Mfr. Artikelnummer | NVD5802NT4G-TB01 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
NVD5802NT4G-TB01, NVD5802NT4G-TB01 Datenblatt
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NVD5802NT4G-TB01 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16.4A (Ta), 101A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 12V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DPAK |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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