NVC3S5A51PLZT1G
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| Teilenummer | NVC3S5A51PLZT1G |
| PNEDA Teilenummer | NVC3S5A51PLZT1G |
| Beschreibung | MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 50.922 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVC3S5A51PLZT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVC3S5A51PLZT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NVC3S5A51PLZT1G, NVC3S5A51PLZT1G Datenblatt
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NVC3S5A51PLZT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 262pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-CPH |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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