NVATS4A101PZT4G
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| Teilenummer | NVATS4A101PZT4G |
| PNEDA Teilenummer | NVATS4A101PZT4G |
| Beschreibung | MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.262 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVATS4A101PZT4G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVATS4A101PZT4G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NVATS4A101PZT4G, NVATS4A101PZT4G Datenblatt
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NVATS4A101PZT4G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 27A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 875pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 36W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | ATPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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