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NUS5531MTR2G

NUS5531MTR2G

Nur als Referenz

Teilenummer NUS5531MTR2G
PNEDA Teilenummer NUS5531MTR2G
Beschreibung MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.372
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NUS5531MTR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNUS5531MTR2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Spezialzweck
Datenblatt
NUS5531MTR2G, NUS5531MTR2G Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 145,38 KB)
PDFNUS5531MTR2G Datenblatt Cover
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NUS5531MTR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP, P-Channel
AnwendungenGeneral Purpose
Spannung - Nennspannung20V PNP, 12V P-Channel
Nennstrom (Ampere)2A PNP, 5.47A P-Channel
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-DFN (3x3)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Spannung - Nennspannung

30V

Nennstrom (Ampere)

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Surface Mount

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Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

SAB™

Transistortyp

4 N-Channel

Anwendungen

Supercapacitor Auto Balancing

Spannung - Nennspannung

10.6V

Nennstrom (Ampere)

80mA

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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