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NURS360BJ

NURS360BJ

Nur als Referenz

Teilenummer NURS360BJ
PNEDA Teilenummer NURS360BJ
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 3A SOD132
Hersteller WeEn Semiconductors
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Auf Lager 5.958
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NURS360BJ Ressourcen

Marke WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNURS360BJ
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
NURS360BJ, NURS360BJ Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 188,32 KB)
PDFNURS360BJ Datenblatt Cover
NURS360BJ Datenblatt Seite 2 NURS360BJ Datenblatt Seite 3 NURS360BJ Datenblatt Seite 4 NURS360BJ Datenblatt Seite 5 NURS360BJ Datenblatt Seite 6 NURS360BJ Datenblatt Seite 7 NURS360BJ Datenblatt Seite 8 NURS360BJ Datenblatt Seite 9

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NURS360BJ Technische Daten

HerstellerWeEn Semiconductors
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)75ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AA, SMB
LieferantengerätepaketSMB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerDI™ 5

Lieferantengerätepaket

PowerDI™ 5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

STPS15L25D

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

25V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

460mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.3mA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

B230BE-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

93pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-1N1189RA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 126A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.5mA @ 500V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

1N5834

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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