NTZD3155CT5G
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| Teilenummer | NTZD3155CT5G |
| PNEDA Teilenummer | NTZD3155CT5G |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.928 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 26 - Mai 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NTZD3155CT5G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTZD3155CT5G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTZD3155CT5G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 540mA, 430mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
| Leistung - max | 250mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Ta), 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC, 2.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180pF, 120pF @ 15V Leistung - max 500mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket UF6 |
