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NTTFS4C08NTAG

NTTFS4C08NTAG

Nur als Referenz

Teilenummer NTTFS4C08NTAG
PNEDA Teilenummer NTTFS4C08NTAG
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
Hersteller ON Semiconductor
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NTTFS4C08NTAG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTTFS4C08NTAG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTTFS4C08NTAG, NTTFS4C08NTAG Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 136,52 KB)
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NTTFS4C08NTAG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.2nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1113pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Fall8-PowerWDFN

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 750µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2080pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

176W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IRF6655TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.2A (Ta), 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.8V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.7nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ SH

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric SH

STD3NM60N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 1.65A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

188pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AON6366E

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

34A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3020pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

46W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

2N7002KW-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

340mA

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-323

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

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