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NTS12100MFST3G

NTS12100MFST3G

Nur als Referenz

Teilenummer NTS12100MFST3G
PNEDA Teilenummer NTS12100MFST3G
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 100V 12A 5DFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.240
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NTS12100MFST3G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTS12100MFST3G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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NTS12100MFST3G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)12A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If730mV @ 12A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr55µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN, 5 Leads
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFRED™

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

JANTX1N3595A-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/241

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

125V

Current - Average Rectified (Io)

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2nA @ 125V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

VS-HFA16TB120SR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

16A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.93V @ 32A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

135ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BYV28-100-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SOD-64, Axial

Lieferantengerätepaket

SOD-64

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

1N3293A

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 100A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

17mA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AA (DO-8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 200°C

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