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NTPF082N65S3F

NTPF082N65S3F

Nur als Referenz

Teilenummer NTPF082N65S3F
PNEDA Teilenummer NTPF082N65S3F
Beschreibung SUPERFET3 650V TO220F PKG
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 12.756
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NTPF082N65S3F Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTPF082N65S3F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTPF082N65S3F, NTPF082N65S3F Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 317,71 KB)
PDFNTPF082N65S3F Datenblatt Cover
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NTPF082N65S3F Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSuperFET® III
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs82mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3240pF @ 400V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)48W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220F
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

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NDB7051

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1930pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

130W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RS1E321GNTB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2850pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HSOP

Paket / Fall

8-PowerTDFN

DMG7430LFGQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

CSD18532NQ5BT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5340pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 156W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSON-CLIP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

FDR838P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-8

Paket / Fall

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

Kürzlich verkauft

CDRH127NP-100MC

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Sumida

FIXED IND 10UH 5.4A 21.6 MOHM

744043101

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Wurth Electronics

FIXED IND 100UH 510MA 600 MOHM

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Susumu

FIXED IND 3.3UH 6A 30 MOHM SMD

LQH2MCN100K02L

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Murata

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7447709220

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Wurth Electronics

FIXED IND 22UH 5.3A 28 MOHM SMD

BNX022-01L

BNX022-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

ABM3B-25.000MHZ-B2-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

T530D337M006ATE010

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KEMET

CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

B32921C3104M000

B32921C3104M000

TDK-EPCOS

CAP FILM 0.1UF 20% 305VAC RADIAL

CK45-R3DD102KAVRA

CK45-R3DD102KAVRA

TDK

CAP CER 1000PF 2KV RADIAL

TAJC337M006RNJ

TAJC337M006RNJ

CAP TANT 330UF 20% 6.3V 2312

HX5120NL

HX5120NL

Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1 CT:1CT TX/RX 350UH