NTMSD6N303R2SG
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Teilenummer | NTMSD6N303R2SG |
PNEDA Teilenummer | NTMSD6N303R2SG |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.906 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NTMSD6N303R2SG Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NTMSD6N303R2SG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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NTMSD6N303R2SG Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | FETKY™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 24V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
Betriebstemperatur | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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