NTMSD6N303R2G
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| Teilenummer | NTMSD6N303R2G |
| PNEDA Teilenummer | NTMSD6N303R2G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.166 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NTMSD6N303R2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTMSD6N303R2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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NTMSD6N303R2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | FETKY™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 24V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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