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NTLUS4195PZTBG

NTLUS4195PZTBG

Nur als Referenz

Teilenummer NTLUS4195PZTBG
PNEDA Teilenummer NTLUS4195PZTBG
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
Hersteller ON Semiconductor
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NTLUS4195PZTBG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTLUS4195PZTBG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTLUS4195PZTBG, NTLUS4195PZTBG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 174,67 KB)
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NTLUS4195PZTBG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)600mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-UDFN (1.6x1.6)
Paket / Fall6-PowerUFDFN

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IPW65R110CFDAFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3240pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

277.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Paket / Fall

TO-247-3

FQPF9N25

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 3.35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

BUK7Y28-75B,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1417pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

85W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

NTNS3190NZT5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

224mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15.8pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

120mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

3-XLLGA (0.62x0.62)

Paket / Fall

3-XFDFN

IRLU120NPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Paket / Fall

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