Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTLJS3113PTAG

NTLJS3113PTAG

Nur als Referenz

Teilenummer NTLJS3113PTAG
PNEDA Teilenummer NTLJS3113PTAG
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.776
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTLJS3113PTAG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTLJS3113PTAG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTLJS3113PTAG, NTLJS3113PTAG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 145,46 KB)
PDFNTLJS3113PTAG Datenblatt Cover
NTLJS3113PTAG Datenblatt Seite 2 NTLJS3113PTAG Datenblatt Seite 3 NTLJS3113PTAG Datenblatt Seite 4 NTLJS3113PTAG Datenblatt Seite 5 NTLJS3113PTAG Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTLJS3113PTAG Datasheet
  • where to find NTLJS3113PTAG
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTLJS3113PTAG
  • NTLJS3113PTAG PDF Datasheet
  • NTLJS3113PTAG Stock

  • NTLJS3113PTAG Pinout
  • Datasheet NTLJS3113PTAG
  • NTLJS3113PTAG Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTLJS3113PTAG Price
  • NTLJS3113PTAG Distributor

NTLJS3113PTAG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1329pF @ 16V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)700mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-WDFN (2x2)
Paket / Fall6-WDFN Exposed Pad

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AON6548

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

52A (Ta), 85A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4290pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

7.4W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

PSMN3R5-80ES,127

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

139nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9800pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

338W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SI3460BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 3.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FQPF5N50CT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

IRF100B201

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

192A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 115A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

255nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9500pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

441W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

MPU-6000

MPU-6000

TDK InvenSense

IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 24QFN

BNX026H01L

BNX026H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD

WIZ810MJ

WIZ810MJ

WIZnet

CNTRLR ETHERNET 10/100 BASE-T/TX

S25FL256SAGMFI000

S25FL256SAGMFI000

Cypress Semiconductor

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC

TCS-DL004-500-WH

TCS-DL004-500-WH

Bourns

SUPPRESSOR TCS DUAL 40V 500MA

NFM21CC223R1H3D

NFM21CC223R1H3D

Murata

CAP FEEDTHRU 0.022UF 50V 0805

ADM1184ARMZ-REEL7

ADM1184ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VOLT MONITOR/SEQ 4CH 10MSOP

NC7SV74K8X

NC7SV74K8X

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 1BIT US8

MAX14780EESA+T

MAX14780EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

F55J25R

F55J25R

Ohmite

RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

HSMF-C155

HSMF-C155

Broadcom

LED GREEN/RED DIFFUSED CHIP SMD