NTLJS1102PTBG
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| Teilenummer | NTLJS1102PTBG |
| PNEDA Teilenummer | NTLJS1102PTBG |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.088 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTLJS1102PTBG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTLJS1102PTBG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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NTLJS1102PTBG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 720mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 4V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-WDFN (2x2) |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
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