Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTLGF3501NT2G

NTLGF3501NT2G

Nur als Referenz

Teilenummer NTLGF3501NT2G
PNEDA Teilenummer NTLGF3501NT2G
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.690
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTLGF3501NT2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTLGF3501NT2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTLGF3501NT2G, NTLGF3501NT2G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 87,57 KB)
PDFNTLGF3501NT1G Datenblatt Cover
NTLGF3501NT1G Datenblatt Seite 2 NTLGF3501NT1G Datenblatt Seite 3 NTLGF3501NT1G Datenblatt Seite 4 NTLGF3501NT1G Datenblatt Seite 5 NTLGF3501NT1G Datenblatt Seite 6 NTLGF3501NT1G Datenblatt Seite 7 NTLGF3501NT1G Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTLGF3501NT2G Datasheet
  • where to find NTLGF3501NT2G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTLGF3501NT2G
  • NTLGF3501NT2G PDF Datasheet
  • NTLGF3501NT2G Stock

  • NTLGF3501NT2G Pinout
  • Datasheet NTLGF3501NT2G
  • NTLGF3501NT2G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTLGF3501NT2G Price
  • NTLGF3501NT2G Distributor

NTLGF3501NT2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieFETKY™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds275pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.14W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-DFN (3x3)
Paket / Fall6-VDFN Exposed Pad

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchP™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

740nC @ 10V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

73000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

595W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Paket / Fall

TO-247-3

PSMN059-150Y,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

43A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1529pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

113W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

STL23NM60ND

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

FDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (8x8) HV

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

380W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

STP21NM50N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

140W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

SST25VF080B-80-4I-SAE

SST25VF080B-80-4I-SAE

Microchip Technology

IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC

SP3232EEN-L/TR

SP3232EEN-L/TR

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

AT28C16-15TC

AT28C16-15TC

Microchip Technology

IC EEPROM 16K PARALLEL 28TSOP

FAN3111ESX

FAN3111ESX

ON Semiconductor

IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5

SMCJ70CA-E3/57T

SMCJ70CA-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 70V 113V DO214AB

NCP2820FCT1G

NCP2820FCT1G

ON Semiconductor

IC AMP AUDIO D 2.65W 9-FLIPCHIP

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

PCA9617ADPJ

PCA9617ADPJ

NXP

IC REDRIVER I2C 1CH 1MHZ 8TSSOP

NC7SZ19P6X

NC7SZ19P6X

ON Semiconductor

IC DECODER/DEMUX UHS 1OF2 SC70-6

ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

LT8620EMSE#PBF

LT8620EMSE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 16MSOP

250R05L0R4AV4T

250R05L0R4AV4T

Johanson Technology

CAP CER 0.4PF 25V C0G/NP0 0201