Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTJD4401NT2G

NTJD4401NT2G

Nur als Referenz

Teilenummer NTJD4401NT2G
PNEDA Teilenummer NTJD4401NT2G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.966
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 3 - Feb 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTJD4401NT2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTJD4401NT2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTJD4401NT2G, NTJD4401NT2G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 120,84 KB)
PDFNTJD4401NT4G Datenblatt Cover
NTJD4401NT4G Datenblatt Seite 2 NTJD4401NT4G Datenblatt Seite 3 NTJD4401NT4G Datenblatt Seite 4 NTJD4401NT4G Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTJD4401NT2G Datasheet
  • where to find NTJD4401NT2G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTJD4401NT2G
  • NTJD4401NT2G PDF Datasheet
  • NTJD4401NT2G Stock

  • NTJD4401NT2G Pinout
  • Datasheet NTJD4401NT2G
  • NTJD4401NT2G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTJD4401NT2G Price
  • NTJD4401NT2G Distributor

NTJD4401NT2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds46pF @ 20V
Leistung - max270mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-88/SC70-6/SOT-363

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APTC60AM35T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

72A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Leistung - max

416W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

IPG20N06S2L65AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 14µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 25V

Leistung - max

43W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-10

APTMC60TL11CT3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (Three Level Inverter)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 1000V

Leistung - max

125W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

AO4862

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 15V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI9926CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

LT1884IS8

LT1884IS8

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

T520D337M006ATE015

T520D337M006ATE015

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 6.3V 2917

APXH200ARA470MH70G

APXH200ARA470MH70G

United Chemi-Con

CAP ALUM POLY 47UF 20% 20V SMD

DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

CDRH127NP-100MC

CDRH127NP-100MC

Sumida

FIXED IND 10UH 5.4A 21.6 MOHM

MT28EW01GABA1HJS-0SIT

MT28EW01GABA1HJS-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

ADSP-21487KSWZ-4BB

ADSP-21487KSWZ-4BB

Analog Devices

DSP/DSC

ADM1184ARMZ-REEL7

ADM1184ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VOLT MONITOR/SEQ 4CH 10MSOP

0451001.MRL

0451001.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC 2SMD

FDMS8558S

FDMS8558S

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN

2752051447

2752051447

Fair-Rite Products

CMC 5A 2LN 200 OHM SMD

MBRD1035CTLG

MBRD1035CTLG

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK