NTJD4158CT2G
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| Teilenummer | NTJD4158CT2G |
| PNEDA Teilenummer | NTJD4158CT2G |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.672 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTJD4158CT2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTJD4158CT2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTJD4158CT2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 250mA, 880mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 33pF @ 5V |
| Leistung - max | 270mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate, 5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 45A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 15V Leistung - max 2.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket 8-LSON (5x6) |
