NTHL080N120SC1
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| Teilenummer | NTHL080N120SC1 |
| PNEDA Teilenummer | NTHL080N120SC1 |
| Beschreibung | SIC MOS TO247 80MW 1200V |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.084 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NTHL080N120SC1 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTHL080N120SC1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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NTHL080N120SC1 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 44A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 348W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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