NTD4857N-1G
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| Teilenummer | NTD4857N-1G |
| PNEDA Teilenummer | NTD4857N-1G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 12A IPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.766 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTD4857N-1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTD4857N-1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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NTD4857N-1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Ta), 78A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 12V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-PAK |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 94W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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