Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTD4815N-35G

NTD4815N-35G

Nur als Referenz

Teilenummer NTD4815N-35G
PNEDA Teilenummer NTD4815N-35G
Beschreibung MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 20.844
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 16 - Jan 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTD4815N-35G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTD4815N-35G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTD4815N-35G, NTD4815N-35G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 140,51 KB)
PDFNVD4815NT4G Datenblatt Cover
NVD4815NT4G Datenblatt Seite 2 NVD4815NT4G Datenblatt Seite 3 NVD4815NT4G Datenblatt Seite 4 NVD4815NT4G Datenblatt Seite 5 NVD4815NT4G Datenblatt Seite 6 NVD4815NT4G Datenblatt Seite 7 NVD4815NT4G Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTD4815N-35G Datasheet
  • where to find NTD4815N-35G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTD4815N-35G
  • NTD4815N-35G PDF Datasheet
  • NTD4815N-35G Stock

  • NTD4815N-35G Pinout
  • Datasheet NTD4815N-35G
  • NTD4815N-35G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTD4815N-35G Price
  • NTD4815N-35G Distributor

NTD4815N-35G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.9A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.1nC @ 11.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds770pF @ 12V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Stub Leads, IPak

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRFI9634G

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IRFS7730TRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

195A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

407nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13660pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 5V

Vgs (Max)

±13V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

550W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PLUS220

Paket / Fall

TO-220-3, Short Tab

BSS169L6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 7V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

68pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

NCP4586DMU50TCG

NCP4586DMU50TCG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 150MA 4UDFN

0217.500MXP

0217.500MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 500MA 250VAC 5X20MM

RT0603DRD07200RL

RT0603DRD07200RL

Yageo

RES SMD 200 OHM 0.5% 1/10W 0603

914CE2-3

914CE2-3

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION SPDT 5A 240V

EP4CE6E22C8N

EP4CE6E22C8N

Intel

IC FPGA 91 I/O 144EQFP

ISL6262CRZ

ISL6262CRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV INTEL 1OUT 48QFN

B520C-13-F

B520C-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 5A SMC

HSMF-C165

HSMF-C165

Broadcom

LED GREEN/RED DIFFUSED 0603 SMD

SS14-E3/61T

SS14-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

ML4841CP

ML4841CP

ON Semiconductor

IC CTRLR PFC/PWM VARIABLE 16DIP

PC28F00AP30EFA

PC28F00AP30EFA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

IRFR5410TRRPBF

IRFR5410TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 100V 13A DPAK