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NTB75N03RG

NTB75N03RG

Nur als Referenz

Teilenummer NTB75N03RG
PNEDA Teilenummer NTB75N03RG
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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NTB75N03RG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTB75N03RG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTB75N03RG, NTB75N03RG Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 91,3 KB)
PDFNTP75N03RG Datenblatt Cover
NTP75N03RG Datenblatt Seite 2 NTP75N03RG Datenblatt Seite 3 NTP75N03RG Datenblatt Seite 4 NTP75N03RG Datenblatt Seite 5 NTP75N03RG Datenblatt Seite 6 NTP75N03RG Datenblatt Seite 7 NTP75N03RG Datenblatt Seite 8

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NTB75N03RG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.7A (Ta), 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1333pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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AOB210L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta), 105A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta), 176W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFL014NPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

IXFC16N80P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS220™

Paket / Fall

ISOPLUS220™

STP36NF06

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Hersteller

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FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

97nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5708pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

203W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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