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NTB45N06LT4

NTB45N06LT4

Nur als Referenz

Teilenummer NTB45N06LT4
PNEDA Teilenummer NTB45N06LT4
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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NTB45N06LT4 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTB45N06LT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTB45N06LT4, NTB45N06LT4 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 81,32 KB)
PDFNTB45N06LG Datenblatt Cover
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NTB45N06LT4 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.45A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 22.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 5V
Vgs (Max)±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.4W (Ta), 125W (Tj)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXTK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

CPH6337-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-CPH

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

2SJ058200L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta), 10W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-G2

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Hersteller

IXYS

Serie

FRFET®, SupreMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

550A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

595nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXTK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

IMZ120R060M1HXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1.2kV

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 13A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.7V @ 5.6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 18V

Vgs (Max)

+23V, -7V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1.06nF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4-1

Paket / Fall

TO-247-4

Kürzlich verkauft

NFE31PT220R1E9L

NFE31PT220R1E9L

Murata

FILTER LC(T) 22PF SMD

LTC1844ES5-2.5#TRMPBF

LTC1844ES5-2.5#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN 2.5V 150MA TSOT23-5

SP3232EEN-L/TR

SP3232EEN-L/TR

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

AD7923BRUZ

AD7923BRUZ

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 16TSSOP

S-1313A33-A4T1U3

S-1313A33-A4T1U3

ABLIC

IC REG LINEAR 3.3V 200MA HSNT4-A

MMBD7000-7-F

MMBD7000-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3

ZHCS1000TA

ZHCS1000TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3

NC7WZ17P6

NC7WZ17P6

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

LQW2BHN22NJ03L

LQW2BHN22NJ03L

Murata

FIXED IND 22NH 720MA 90 MOHM SMD

TA8428K(O,S)

TA8428K(O,S)

Toshiba Semiconductor and Storage

IC MOTOR DRIVER 7V-27V 7HSIP

SQ3427EEV-T1-GE3

SQ3427EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

BH1726NUC-E2

BH1726NUC-E2

Rohm Semiconductor

SENSOR OPT AMBIENT WSON008X2120