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NTA4151PT1H

NTA4151PT1H

Nur als Referenz

Teilenummer NTA4151PT1H
PNEDA Teilenummer NTA4151PT1H
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 0.76A SC75
Hersteller ON Semiconductor
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NTA4151PT1H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTA4151PT1H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTA4151PT1H, NTA4151PT1H Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 124,73 KB)
PDFNTA4151PT1 Datenblatt Cover
NTA4151PT1 Datenblatt Seite 2 NTA4151PT1 Datenblatt Seite 3 NTA4151PT1 Datenblatt Seite 4 NTA4151PT1 Datenblatt Seite 5 NTA4151PT1 Datenblatt Seite 6

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NTA4151PT1H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.760mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
Vgs (Max)±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds156pF @ 5V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)301mW (Tj)
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSC-75, SOT-416
Paket / FallSC-75, SOT-416

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMT6004SPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4556pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IPI65R190CFDXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 730µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

151W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FCPF260N60E-F152

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

DMN4060SVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

45V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1287pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

NTD65N03RT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A (Ta), 32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

BAT54C-7-F

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DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

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FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

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IC DRIVER 1/0 8TDFN

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PEX8734-AB80BI G

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IC VIDEO DECODER SDTV RGB 64LQFP

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AOZ1281DI

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