NSVT3904DP6T5G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NSVT3904DP6T5G |
| PNEDA Teilenummer | NSVT3904DP6T5G |
| Beschreibung | TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.532 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSVT3904DP6T5G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSVT3904DP6T5G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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NSVT3904DP6T5G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 40V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Leistung - max | 350mW |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-963 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-963 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1A, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 12 @ 2A, 5V Leistung - max 3W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-DIP |
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