NSVMUN5212DW1T1G
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Teilenummer | NSVMUN5212DW1T1G |
PNEDA Teilenummer | NSVMUN5212DW1T1G |
Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
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NSVMUN5212DW1T1G Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NSVMUN5212DW1T1G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
Datenblatt |
NSVMUN5212DW1T1G, NSVMUN5212DW1T1G Datenblatt
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NSVMUN5212DW1T1G Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung - max | 250mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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