NSVMMUN2113LT3G
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| Teilenummer | NSVMMUN2113LT3G |
| PNEDA Teilenummer | NSVMMUN2113LT3G |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP SOT23-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.556 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSVMMUN2113LT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSVMMUN2113LT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
NSVMMUN2113LT3G, NSVMMUN2113LT3G Datenblatt
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NSVMMUN2113LT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 246mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 100MHz Leistung - max 330mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
