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NSVBC143ZPDXV6T5G

NSVBC143ZPDXV6T5G

Nur als Referenz

Teilenummer NSVBC143ZPDXV6T5G
PNEDA Teilenummer NSVBC143ZPDXV6T5G
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Hersteller ON Semiconductor
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NSVBC143ZPDXV6T5G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSVBC143ZPDXV6T5G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
NSVBC143ZPDXV6T5G, NSVBC143ZPDXV6T5G Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 164,08 KB)
PDFNSVB143ZPDXV6T1G Datenblatt Cover
NSVB143ZPDXV6T1G Datenblatt Seite 2 NSVB143ZPDXV6T1G Datenblatt Seite 3 NSVB143ZPDXV6T1G Datenblatt Seite 4 NSVB143ZPDXV6T1G Datenblatt Seite 5 NSVB143ZPDXV6T1G Datenblatt Seite 6 NSVB143ZPDXV6T1G Datenblatt Seite 7 NSVB143ZPDXV6T1G Datenblatt Seite 8 NSVB143ZPDXV6T1G Datenblatt Seite 9 NSVB143ZPDXV6T1G Datenblatt Seite 10

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NSVBC143ZPDXV6T5G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Transistortyp1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)4.7kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max500mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA, 3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 20V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA, 100nA

Frequenz - Übergang

100MHz

Leistung - max

1.5W

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DCX115EU-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

100kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

100kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

NSBA124EDXV6T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

500mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

UP0339600L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms, 22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms, 47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz, 80MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-665

Lieferantengerätepaket

SSMini5-F2

PUMD24,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

100kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

100kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

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Frequenz - Übergang

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