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NST3906DXV6T1G

NST3906DXV6T1G

Nur als Referenz

Teilenummer NST3906DXV6T1G
PNEDA Teilenummer NST3906DXV6T1G
Beschreibung TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 94.308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NST3906DXV6T1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNST3906DXV6T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
NST3906DXV6T1G, NST3906DXV6T1G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 96,25 KB)
PDFNST3906DXV6T1 Datenblatt Cover
NST3906DXV6T1 Datenblatt Seite 2 NST3906DXV6T1 Datenblatt Seite 3 NST3906DXV6T1 Datenblatt Seite 4 NST3906DXV6T1 Datenblatt Seite 5 NST3906DXV6T1 Datenblatt Seite 6 NST3906DXV6T1 Datenblatt Seite 7 NST3906DXV6T1 Datenblatt Seite 8

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NST3906DXV6T1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Leistung - max500mW
Frequenz - Übergang250MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 10V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

260MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

2N2920

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

SMBT3904DW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

MMDT3904Q-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

MPQ3762

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

4 PNP (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

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