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NSS30201MR6T1G

NSS30201MR6T1G

Nur als Referenz

Teilenummer NSS30201MR6T1G
PNEDA Teilenummer NSS30201MR6T1G
Beschreibung TRANS NPN 30V 2A TSOP-6
Hersteller ON Semiconductor
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NSS30201MR6T1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSS30201MR6T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
NSS30201MR6T1G, NSS30201MR6T1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 142,66 KB)
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NSS30201MR6T1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic75mV @ 1mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce300 @ 500mA, 5V
Leistung - max535mW
Frequenz - Übergang300MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

350V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

750V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 3A, 12A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

6 @ 12A, 5V

Leistung - max

200W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

2SC2655-Y,T6SWFF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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