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NSR20204NXT5G

NSR20204NXT5G

Nur als Referenz

Teilenummer NSR20204NXT5G
PNEDA Teilenummer NSR20204NXT5G
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 20V 2A 2DSN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.474
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NSR20204NXT5G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSR20204NXT5G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
NSR20204NXT5G, NSR20204NXT5G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 62,77 KB)
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NSR20204NXT5G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)20V
Current - Average Rectified (Io)2A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If600mV @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)28ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr80µA @ 20V
Kapazität @ Vr, F.75pF @ 2V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall2-XDFN
Lieferantengerätepaket2-DSN (1x.60)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

48pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

RS3JHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

34pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

UPS180E3/TR7

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

S3GHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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