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NSF8KTHE3_A/P

NSF8KTHE3_A/P

Nur als Referenz

Teilenummer NSF8KTHE3_A/P
PNEDA Teilenummer NSF8KTHE3_A-P
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.400
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NSF8KTHE3_A/P Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSF8KTHE3_A/P
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
NSF8KTHE3_A/P, NSF8KTHE3_A/P Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 140,64 KB)
PDFNS8KT-7002HE3/45 Datenblatt Cover
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NSF8KTHE3_A/P Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)800V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 8A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F.55pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2 Insulated, TO-220AC
LieferantengerätepaketITO-220AC
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SK315BHM4G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SBRT15U100SP5-7D

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

TrenchSBR

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerDI™ 5

Lieferantengerätepaket

PowerDI™ 5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

VSSB3L6S-M3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

2.6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

590mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.2mA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

358pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

XBS306P11R-G

Torex Semiconductor Ltd

Hersteller

Torex Semiconductor Ltd

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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