NSDEMP11XV6T5G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NSDEMP11XV6T5G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | NSDEMP11XV6T5G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 4.281 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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NSDEMP11XV6T5G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSDEMP11XV6T5G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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NSDEMP11XV6T5G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 2 Pair Common Anode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100nA @ 70V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 100V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 100V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 600A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 300A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 20V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
Hersteller ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 830mV @ 200A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 6mA @ 100V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Powertap II Lieferantengerätepaket PowerTap II |
