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NSBC124EPDXV6T5G

NSBC124EPDXV6T5G

Nur als Referenz

Teilenummer NSBC124EPDXV6T5G
PNEDA Teilenummer NSBC124EPDXV6T5G
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.542
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 21 - Jan 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NSBC124EPDXV6T5G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSBC124EPDXV6T5G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
NSBC124EPDXV6T5G, NSBC124EPDXV6T5G Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 99,82 KB)
PDFNSBC124EPDXV6T5G Datenblatt Cover
NSBC124EPDXV6T5G Datenblatt Seite 2 NSBC124EPDXV6T5G Datenblatt Seite 3 NSBC124EPDXV6T5G Datenblatt Seite 4 NSBC124EPDXV6T5G Datenblatt Seite 5 NSBC124EPDXV6T5G Datenblatt Seite 6 NSBC124EPDXV6T5G Datenblatt Seite 7 NSBC124EPDXV6T5G Datenblatt Seite 8 NSBC124EPDXV6T5G Datenblatt Seite 9 NSBC124EPDXV6T5G Datenblatt Seite 10

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NSBC124EPDXV6T5G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Transistortyp1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)22kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)22kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max500mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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PEMB9,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-666

RN1706,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

UP0431NG0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz, 80MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SSMini6-F2

EMD30T2R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA, 200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 30V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms, 1kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz, 260MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

MUN5115DW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

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