NSBA144EDXV6T5G
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| Teilenummer | NSBA144EDXV6T5G |
| PNEDA Teilenummer | NSBA144EDXV6T5G |
| Beschreibung | TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.992 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 20 - Jun 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSBA144EDXV6T5G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSBA144EDXV6T5G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
NSBA144EDXV6T5G, NSBA144EDXV6T5G Datenblatt
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NSBA144EDXV6T5G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | * |
| Transistortyp | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Widerstand - Basis (R1) | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang - Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
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