NSBA123EDXV6T1G
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Teilenummer | NSBA123EDXV6T1G |
PNEDA Teilenummer | NSBA123EDXV6T1G |
Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.808 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSBA123EDXV6T1G Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NSBA123EDXV6T1G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
Datenblatt |
NSBA123EDXV6T1G, NSBA123EDXV6T1G Datenblatt
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NSBA123EDXV6T1G Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung - max | 500mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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