Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NSBA114YF3T5G

NSBA114YF3T5G

Nur als Referenz

Teilenummer NSBA114YF3T5G
PNEDA Teilenummer NSBA114YF3T5G
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.560
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NSBA114YF3T5G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSBA114YF3T5G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
NSBA114YF3T5G, NSBA114YF3T5G Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 178,41 KB)
PDFNSBA114YF3T5G Datenblatt Cover
NSBA114YF3T5G Datenblatt Seite 2 NSBA114YF3T5G Datenblatt Seite 3 NSBA114YF3T5G Datenblatt Seite 4 NSBA114YF3T5G Datenblatt Seite 5 NSBA114YF3T5G Datenblatt Seite 6 NSBA114YF3T5G Datenblatt Seite 7 NSBA114YF3T5G Datenblatt Seite 8 NSBA114YF3T5G Datenblatt Seite 9 NSBA114YF3T5G Datenblatt Seite 10 NSBA114YF3T5G Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NSBA114YF3T5G Datasheet
  • where to find NSBA114YF3T5G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NSBA114YF3T5G
  • NSBA114YF3T5G PDF Datasheet
  • NSBA114YF3T5G Stock

  • NSBA114YF3T5G Pinout
  • Datasheet NSBA114YF3T5G
  • NSBA114YF3T5G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NSBA114YF3T5G Price
  • NSBA114YF3T5G Distributor

NSBA114YF3T5G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max254mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-1123
LieferantengerätepaketSOT-1123

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BCR 112F E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

140MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

PG-TSFP-3

UNR32AMG0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SSSMini3-F1

SDTC114EET1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SC-75, SOT-416

DTC115EMT2L

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

VMT3

FJV4101RMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Kürzlich verkauft

7M24000020

7M24000020

TXC

CRYSTAL 24MHZ 18PF SMD

TMP36GT9Z

TMP36GT9Z

Analog Devices

SENSOR ANALOG -40C-125C TO92-3

CDSU4148

CDSU4148

Comchip Technology

DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603

ADM2587EBRWZ-REEL7

ADM2587EBRWZ-REEL7

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

IRF7470PBF

IRF7470PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

SFH6106-2T

SFH6106-2T

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-SMD

PIC16F1705-I/P

PIC16F1705-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 14DIP

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

MT40A512M16LY-062E IT:E

MT40A512M16LY-062E IT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

TAJD337K010RNJ

TAJD337K010RNJ

CAP TANT 330UF 10% 10V 2917

CM1230-02CP

CM1230-02CP

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 9.8V 4WLCSP

NC7SZ175P6X

NC7SZ175P6X

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 1BIT SC70-6