NSB8DTHE3_A/I
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Teilenummer | NSB8DTHE3_A/I |
PNEDA Teilenummer | NSB8DTHE3_A-I |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.680 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NSB8DTHE3_A/I Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NSB8DTHE3_A/I |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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NSB8DTHE3_A/I Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F. | 55pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 1.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |