NS8KTHE3/45
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| Teilenummer | NS8KTHE3/45 |
| PNEDA Teilenummer | NS8KTHE3-45 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NS8KTHE3/45 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NS8KTHE3/45 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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NS8KTHE3/45 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AC |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 200pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 120A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 650mV @ 120A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 4mA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-67 Lieferantengerätepaket D-67 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 120V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 12A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 120V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 25A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 78A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
