NRVUS110VT3G
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Teilenummer | NRVUS110VT3G |
PNEDA Teilenummer | NRVUS110VT3G |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 2A SMB |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.804 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NRVUS110VT3G Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NRVUS110VT3G |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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NRVUS110VT3G Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
Lieferantengerätepaket | SMB |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Powerex Inc. Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 97A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.8V @ 200A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 110ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 500mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 35V Kapazität @ Vr, F. 90pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-216AA Lieferantengerätepaket Powermite Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |