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NRVTSM245ET1G

NRVTSM245ET1G

Nur als Referenz

Teilenummer NRVTSM245ET1G
PNEDA Teilenummer NRVTSM245ET1G
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 2A 45V PWRMITE
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 58.128
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NRVTSM245ET1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNRVTSM245ET1G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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NRVTSM245ET1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)45V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If650mV @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr75µA @ 45V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-216AA
LieferantengerätepaketPowermite
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/578

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

300mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

3-UB (3.09x2.45)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

VSSB3L6S-M3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

2.6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

590mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.2mA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

358pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CMR5U-02 TR13

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

17pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

NHPD660T4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3V @ 6A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SS14LHRQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

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