NRVBD660CTT4G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NRVBD660CTT4G |
| PNEDA Teilenummer | NRVBD660CTT4G |
| Beschreibung | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.948 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 27 - Jul 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NRVBD660CTT4G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NRVBD660CTT4G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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NRVBD660CTT4G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 60V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 45V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
