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NRVB10100MFST3G

NRVB10100MFST3G

Nur als Referenz

Teilenummer NRVB10100MFST3G
PNEDA Teilenummer NRVB10100MFST3G
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.938
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NRVB10100MFST3G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNRVB10100MFST3G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
NRVB10100MFST3G, NRVB10100MFST3G Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 62,56 KB)
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NRVB10100MFST3G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 10A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN, 5 Leads
Lieferantengerätepaket5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

28pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

SD103CWS-TP

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

350mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 10V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

BYX10GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Current - Average Rectified (Io)

360mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 1600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

AS01WS

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

600mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 600mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

121NQ035R-1

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

120A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 120A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

5200pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

HALF-PAK

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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