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NP8P128A13TSM60E

NP8P128A13TSM60E

Nur als Referenz

Teilenummer NP8P128A13TSM60E
PNEDA Teilenummer NP8P128A13TSM60E
Beschreibung IC PCM 128M PARALLEL 56TSOP
Hersteller Micron Technology Inc.
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Auf Lager 3.204
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NP8P128A13TSM60E Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNP8P128A13TSM60E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
NP8P128A13TSM60E, NP8P128A13TSM60E Datenblatt (Total Pages: 86, Größe: 2.598,83 KB)
PDFNP8P128AE3T1760E Datenblatt Cover
NP8P128AE3T1760E Datenblatt Seite 2 NP8P128AE3T1760E Datenblatt Seite 3 NP8P128AE3T1760E Datenblatt Seite 4 NP8P128AE3T1760E Datenblatt Seite 5 NP8P128AE3T1760E Datenblatt Seite 6 NP8P128AE3T1760E Datenblatt Seite 7 NP8P128AE3T1760E Datenblatt Seite 8 NP8P128AE3T1760E Datenblatt Seite 9 NP8P128AE3T1760E Datenblatt Seite 10 NP8P128AE3T1760E Datenblatt Seite 11

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NP8P128A13TSM60E Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
SerieOmneo™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatPCM (PRAM)
TechnologiePCM (PRAM)
Speichergröße128Mb (16M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel, SPI
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite115ns
Zugriffszeit115ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket56-TSOP

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

1Gb (256M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

750ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

66-TSOP

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY7C1356C-166AXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

M29W320DT70N3F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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