NP83P06PDG-E1-AY
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Teilenummer | NP83P06PDG-E1-AY |
PNEDA Teilenummer | NP83P06PDG-E1-AY |
Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 83A TO-263 |
Hersteller | Renesas Electronics America |
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Auf Lager | 6.732 |
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NP83P06PDG-E1-AY Ressourcen
Marke | Renesas Electronics America |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NP83P06PDG-E1-AY |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
NP83P06PDG-E1-AY, NP83P06PDG-E1-AY Datenblatt
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NP83P06PDG-E1-AY Technische Daten
Hersteller | Renesas Electronics America |
Serie | - |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 83A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 41.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10100pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 150W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-263 |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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