NP82N04NUG-S18-AY
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| Teilenummer | NP82N04NUG-S18-AY |
| PNEDA Teilenummer | NP82N04NUG-S18-AY |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 82A TO-262 |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.038 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 20 - Jun 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NP82N04NUG-S18-AY Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NP82N04NUG-S18-AY |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NP82N04NUG-S18-AY, NP82N04NUG-S18-AY Datenblatt
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NP82N04NUG-S18-AY Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 82A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 41A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9750pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-262 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSMT3 Paket / Fall SC-96 |
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