NP80N06PLG-E1B-AY
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Teilenummer | NP80N06PLG-E1B-AY |
PNEDA Teilenummer | NP80N06PLG-E1B-AY |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 |
Hersteller | Renesas Electronics America |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.366 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NP80N06PLG-E1B-AY Ressourcen
Marke | Renesas Electronics America |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NP80N06PLG-E1B-AY |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
NP80N06PLG-E1B-AY, NP80N06PLG-E1B-AY Datenblatt
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NP80N06PLG-E1B-AY Technische Daten
Hersteller | Renesas Electronics America |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-263 |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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