Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NP160N04TUJ-E2-AY

NP160N04TUJ-E2-AY

Nur als Referenz

Teilenummer NP160N04TUJ-E2-AY
PNEDA Teilenummer NP160N04TUJ-E2-AY
Beschreibung TRANSISTOR
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.892
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NP160N04TUJ-E2-AY Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNP160N04TUJ-E2-AY
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NP160N04TUJ-E2-AY, NP160N04TUJ-E2-AY Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 196,55 KB)
PDFNP160N04TUJ-E2-AY Datenblatt Cover
NP160N04TUJ-E2-AY Datenblatt Seite 2 NP160N04TUJ-E2-AY Datenblatt Seite 3 NP160N04TUJ-E2-AY Datenblatt Seite 4 NP160N04TUJ-E2-AY Datenblatt Seite 5 NP160N04TUJ-E2-AY Datenblatt Seite 6 NP160N04TUJ-E2-AY Datenblatt Seite 7 NP160N04TUJ-E2-AY Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NP160N04TUJ-E2-AY Datasheet
  • where to find NP160N04TUJ-E2-AY
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America NP160N04TUJ-E2-AY
  • NP160N04TUJ-E2-AY PDF Datasheet
  • NP160N04TUJ-E2-AY Stock

  • NP160N04TUJ-E2-AY Pinout
  • Datasheet NP160N04TUJ-E2-AY
  • NP160N04TUJ-E2-AY Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • NP160N04TUJ-E2-AY Price
  • NP160N04TUJ-E2-AY Distributor

NP160N04TUJ-E2-AY Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

MMBF170Q-13-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

UPA1912TE(0)-T1-AT

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 4V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-95

Paket / Fall

SC-95

IRF1104PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

170W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IXFN73N30

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

73A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IRLR014PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 4.6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

MAX3387EEUG

MAX3387EEUG

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 3/3 24TSSOP

74LVX14MTCX

74LVX14MTCX

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

PIC16F1705-I/P

PIC16F1705-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 14DIP

TAJB475K016RNJ

TAJB475K016RNJ

CAP TANT 4.7UF 10% 16V 1411

DS1305EN

DS1305EN

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR SPI 20-TSSOP

MAX15021ATI+T

MAX15021ATI+T

Maxim Integrated

IC REG BUCK ADJ 2A/4A DL 28TQFN

LM1458M

LM1458M

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

2SC4793(F,M)

2SC4793(F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

ADM3202ARUZ-REEL7

ADM3202ARUZ-REEL7

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

BH1726NUC-E2

BH1726NUC-E2

Rohm Semiconductor

SENSOR OPT AMBIENT WSON008X2120

BTB06-600SWRG

BTB06-600SWRG

STMicroelectronics

TRIAC SENS GATE 600V 6A TO220AB

ADM3260ARSZ

ADM3260ARSZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 2CH I2C 20SSOP