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NLV14551BDR2G

NLV14551BDR2G

Nur als Referenz

Teilenummer NLV14551BDR2G
PNEDA Teilenummer NLV14551BDR2G
Beschreibung IC MUX/DEMUX QUAD 2X1 16SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NLV14551BDR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNLV14551BDR2G
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
NLV14551BDR2G, NLV14551BDR2G Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 129,08 KB)
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NLV14551BDR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Schaltkreis4PDT
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung4:2
Anzahl der Schaltkreise2
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)280Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)10Ohm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)3V ~ 18V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)-
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)-
-3db Bandbreite17MHz
Ladungsinjektion-
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))5pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)100nA
Übersprechen-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C (TA)
Paket / Fall16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

30ns, 20ns

-3db Bandbreite

100MHz

Ladungsinjektion

-20pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

18pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

20nA

Übersprechen

-64dB @ 1MHz

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Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

80Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

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Spannung - Versorgung, einfach (V +)

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200ns, 100ns

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-

Ladungsinjektion

0.5pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

4pF, 10pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-96dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

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Anzahl der Schaltkreise

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Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

240Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

5Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

3V ~ 20V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

-

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

0.2pF, 5pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100µA

Übersprechen

-40dB @ 1MHz

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1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

10Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

4.2ns, 5ns

-3db Bandbreite

300MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

6pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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Anzahl der Schaltkreise

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195Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

3Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

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-

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

6.7pF, 22pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

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