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NLASB3157MTR2G

NLASB3157MTR2G

Nur als Referenz

Teilenummer NLASB3157MTR2G
PNEDA Teilenummer NLASB3157MTR2G
Beschreibung IC SWITCH SPDT 6WDFN
Hersteller ON Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NLASB3157MTR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNLASB3157MTR2G
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
NLASB3157MTR2G, NLASB3157MTR2G Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 207,04 KB)
PDFNLASB3157DFT2 Datenblatt Cover
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NLASB3157MTR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
SchaltkreisSPDT
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung2:1
Anzahl der Schaltkreise1
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)7Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)150mOhm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)1.65V ~ 5.5V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)-
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)5.2ns, 3.5ns
-3db Bandbreite250MHz
Ladungsinjektion7pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))6.5pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)100nA
Übersprechen-54dB @ 10MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C (TA)
Paket / Fall6-WFDFN
Lieferantengerätepaket6-WDFN (1.2x1.0)

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4:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

85Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

2Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1V ~ 6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

46ns, 32ns

-3db Bandbreite

200MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

3.5pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

2µA

Übersprechen

-60dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

16-SO

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

8:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

155Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

5Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

3V ~ 15V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

-

-3db Bandbreite

70MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

7.5pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

200nA

Übersprechen

-50dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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16-DIP

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Hersteller

Serie

-

Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

8:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

240Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

5Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

3V ~ 18V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

-

-3db Bandbreite

20MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

0.2pF, 35pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

24-SOIC

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NC

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

65Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

2Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 12V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±2.6V ~ 6V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

80ns, 30ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

1pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

7pF, 7pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-90dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SP4T

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

4:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

100Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

15Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±2V ~ 6V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

41ns, 32ns

-3db Bandbreite

35MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5pF, 45pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-50dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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