NJVNJD35N04T4G
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| Teilenummer | NJVNJD35N04T4G |
| PNEDA Teilenummer | NJVNJD35N04T4G |
| Beschreibung | TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 18.660 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 12 - Mär 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NJVNJD35N04T4G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NJVNJD35N04T4G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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NJVNJD35N04T4G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 350V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 2A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V |
| Leistung - max | 45W |
| Frequenz - Übergang | 90MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 420 @ 500mA, 1V Leistung - max 900mW Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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